什么是内光电效应?
内光电效应就是在半导体材料中,光子能量大于或等于材料禁带宽度时,会引起材料中自由电子的跃迁,产生电子空穴对,产生电流的物理效应。
内光电效应和外光电效应的区别
根据效应发生的部位和性质,习惯上将其分为外光电效应和内光电效应。
外光电效应是指发生在物质表面上的光电转换现象,主要包括光阴极直接向外部放出电子的现象,典型的例子是物质表面的光电发射;内光电效应指发生在物质内部的光电转换现象,特别是半导体内部载流子产生效应,主要包括光电导效应与光伏效应。概括起来就是:
(1)内光电效应发生在物质内部,外光电效应发生在物质表面;
(2)内光电效应主要体现为载流子的产生效应,外光电效应主要体现为表面电子发射现象;
(3)内光电效应中的红限与半导体禁带宽度成反比,而外光电效应中的红限与表面逸出功成反比。
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